MT41K256M8HX-15E:D是美光科技生产的一款2Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该芯片采用256M x 8的存储组织架构，封装于78-TFBGA中，适用于表面贴装。
其核心优势在于高带宽与低功耗的结合。器件支持667MHz时钟频率，实现1333MT/s的数据速率，同时工作电压低至1.283V-1.45V（DDR3L标准），显著优化了系统能效。其访问时间为13.5ns，并支持0°C至95°C（TC）的宽工作温度范围，确保了在苛刻环境下的快速响应与稳定运行。
- 型号:MT41K256M8HX-15E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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