MT41K256M8DA-125 AIT:K TR是美光科技推出的一款2Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件以256M x 8的组织形式，在800MHz的时钟频率下运行，可实现高达1600 MT/s的数据传输率，并提供13.75ns的快速访问时间，旨在满足高性能数据处理应用的需求。
其核心优势在于实现了高性能与低功耗的平衡。作为低电压（DDR3L）器件，其工作电压范围为1.283V至1.45V，显著降低了动态和静态功耗。同时，它具备-40°C至95°C的宽工作温度范围，并采用78-TFBGA表面贴装封装，确保了在苛刻工业环境下的高可靠性。这些特性使其成为网络基础设施、嵌入式系统及工业自动化等领域的理想内存解决方案。
- 型号:MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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