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MICRON
MT41K256M16TW-093:P TR的图片

MT41K256M16TW-093:P TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K256M16TW-093:P TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K256M16TW-093:P TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K256M16TW-093:P TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用256M x 16位的组织架构。该器件属于易失性存储器,采用并行接口,封装于紧凑的96-TFBGA中,支持表面贴装,并以卷带形式供货。

其核心特性在于实现了高性能与低功耗的平衡。该芯片支持高达1067MHz的时钟频率(数据速率2133 MT/s)和20ns的访问时间,提供高速数据吞吐能力。同时,其1.283V至1.45V的低工作电压范围(DDR3L标准)显著降低了系统功耗。这些特性使其成为需要高带宽、低能耗内存解决方案的各类嵌入式、工业和网络应用的理想选择。

  • 型号:MT41K256M16TW-093:P TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.066 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:20 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
  • 想获取MT41K256M16TW-093:P TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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