MT41K1G8RKB-107:N TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用1G x 8位架构，封装为78-TFBGA，适用于表面贴装。该器件基于低电压DDR3L技术，工作电压范围为1.283V至1.45V，在降低系统功耗的同时提供高效能。
其核心卖点包括高达933MHz的时钟频率（等效1866 MT/s数据速率）和20ns的访问时间，确保快速数据吞吐，满足高带宽应用需求。并联接口设计简化了与处理器的连接，支持宽温工作范围（0°C至95°C），增强环境适应性。需要注意的是，该产品目前已停产，建议在设计中评估替代选项或通过授权渠道获取。
- 型号:MT41K1G8RKB-107:N TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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