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MICRON
MT41K128M8DA-107 IT:J TR的图片

MT41K128M8DA-107 IT:J TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(8x10.5)
优势价格,MT41K128M8DA-107 IT:J TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K128M8DA-107 IT:J TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K128M8DA-107 IT:J TR是美光科技推出的一款1Gb容量DDR3L SDRAM存储器,采用128M x 8位组织架构。该器件基于低功耗DDR3L技术,工作电压范围为1.283V至1.45V,相比标准DDR3产品能有效降低系统功耗。

其核心性能表现为933MHz的时钟频率,配合DDR双倍数据速率传输,可提供高速的数据吞吐能力,满足对带宽要求严格的应用。器件采用78-TFBGA封装,支持表面贴装,并具备-40°C至95°C的宽工作温度范围,确保了在工业及嵌入式环境下的高可靠性。

  • 型号:MT41K128M8DA-107 IT:J TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:20 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 想获取MT41K128M8DA-107 IT:J TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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