MT41K128M16JT-125 AAT:K

MT41K128M16JT-125 AAT:K 是美光科技生产的一款2Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件组织架构为128M x 16位，在800MHz时钟频率下可实现高达1600MT/s的数据传输速率，并提供13.75ns的快速访问时间，能够有效提升系统的数据吞吐性能。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的结合。作为低电压版本DDR3L，其工作电压范围（1.283V~1.45V）显著低于标准DDR3，有助于降低整体系统功耗与热耗散。同时，其宽泛的工业级工作温度范围（-40°C ~ 105°C TC）以及96-TFBGA表面贴装封装，使其能够稳定可靠地部署于对环境适应性和空间布局有严苛要求的嵌入式及工业应用中。

• 型号:MT41K128M16JT-125 AAT:K
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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