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MICRON
MT40A512M16LY-062E IT:E TR的图片

MT40A512M16LY-062E IT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(7.5x13.5)
优势价格,MT40A512M16LY-062E IT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A512M16LY-062E IT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A512M16LY-062E IT:E TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片,采用512M x 16的组织架构。该器件基于先进的DDR4技术,提供高达3200 MT/s的数据传输速率,能够显著提升系统的数据处理带宽和响应速度。

其核心优势在于高性能与低功耗的结合。工作电压低至1.2V典型值,有效降低了系统功耗和发热。同时,其支持-40°C至95°C的宽温工作范围,并采用96-TFBGA封装,确保了在苛刻环境下的高可靠性和紧凑型设计中的适用性。这些特性使其成为服务器、网络通信和高端嵌入式系统等应用的理想内存解决方案。

  • 型号:MT40A512M16LY-062E IT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(7.5x13.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:512M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13.5)
  • 想获取MT40A512M16LY-062E IT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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