MT40A512M16LY-062E AAT:E TR

MT40A512M16LY-062E AAT:E TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 16的并行接口配置。该器件运行时钟频率高达1.6GHz，提供卓越的数据传输速率，同时其1.14V至1.26V的低工作电压有效优化了能效比。

该芯片具备19ns的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了低延迟的数据读写操作。其设计坚固可靠，支持-40°C至105°C的宽温工作范围，并采用96-TFBGA表面贴装封装，卷带包装，适用于要求高性能、高密度和恶劣环境适应性的各类电子系统。

• 型号:MT40A512M16LY-062E AAT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
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