MT40A256M16LY-062E:F是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用256M x 16位的并行接口架构。该器件基于先进的DDR4技术，在1.6GHz的时钟频率下可实现高达3200 MT/s的数据传输速率，并提供13.75ns的低访问时间，为系统提供了高带宽与低延迟的内存解决方案。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，有助于降低系统整体功耗。芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C（TC）的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。这些特性使其成为服务器、网络通信和高端嵌入式系统等需要高性能、高密度存储应用的理想选择。
- 型号:MT40A256M16LY-062E:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
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