MT40A1G8WE-083E AIT:B TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用1G x 8位架构，运行时钟频率高达1.2GHz，为标准并联接口提供了高数据传输带宽。
其核心优势在于1.2V左右的低工作电压和宽广的-40°C至95°C工作温度范围，结合78-TFBGA小型化封装，显著优化了功耗与空间占用。作为“AIT”版本，芯片集成了自动温度补偿刷新功能，增强了在严苛环境下的数据可靠性。
这款有源状态的易失性存储器，主要面向需要高性能、高密度内存解决方案的服务器、网络通信及工业控制等应用领域，是构建稳定高效系统的理想选择。
- 型号:MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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