MT40A1G8WE-075E:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用1G x 8位组织架构的并行接口DRAM。该器件基于先进的DDR4技术，核心数据速率达到2666 MT/s（对应时钟频率1.33GHz），能够为系统提供高带宽的数据传输能力。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提升性能的同时实现了更优的能效比。器件采用78-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C（TC）的宽工作温度范围，确保了在苛刻环境下的可靠性。该芯片适用于对内存性能和稳定性有较高要求的服务器、网络通信及工业计算应用。
- 型号:MT40A1G8WE-075E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.33 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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