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MICRON
MT40A1G4RH-075E:B TR的图片

MT40A1G4RH-075E:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(9x10.5)
优势价格,MT40A1G4RH-075E:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A1G4RH-075E:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A1G4RH-075E:B TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片,采用1G x 4的并行架构。该器件基于DDR4技术标准,运行时钟频率可达1.33GHz(对应数据传输速率2666 MT/s),能够在1.2V典型电压下工作,提供高带宽与低功耗的性能组合。

其关键特性包括支持数据总线倒置(DBI)和可编程片内终端(ODT),以优化信号完整性。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC),适用于要求高可靠性和稳定性的嵌入式系统与企业级网络硬件环境。

  • 型号:MT40A1G4RH-075E:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:1G x 4
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.33 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9x10.5)
  • 想获取MT40A1G4RH-075E:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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