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MICRON
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C的图片

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ
原厂封装:封装:-
优势价格,MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C是美光科技推出的一款集成4Gb NAND闪存与4Gb LPDDR2 DRAM的复合存储器芯片。它采用并行接口,核心优势在于将非易失性大容量存储与高速易失性工作内存整合于单一封装,为系统设计提供了高集成度的解决方案。

该器件工作电压为1.8V,LPDDR2 DRAM部分运行时钟频率可达533MHz,确保了高速数据缓存与处理能力。其宽工作温度范围(-25°C ~ 85°C)使其能够适应严苛的工业环境要求。这款芯片主要面向需要兼顾存储密度、访问速度及空间限制的嵌入式应用。

  • 型号:MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • 存储容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDDR2)
  • 存储器组织:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDDR2)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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