MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR是美光科技的一款4Gb NAND Flash与4Gb LPDDR2 DRAM集成式存储器。该器件采用162-VFBGA封装，将非易失性存储与高速易失性内存结合于单一芯片，通过并联接口与533MHz的时钟频率，为系统提供了高带宽的数据通道。
其核心优势在于通过硬件集成优化了存储子系统架构，LPDDR2可作为NAND的高效缓存，显著提升整体数据存取效率与系统响应速度。1.8V的工作电压与-40°C至85°C的宽温范围，使其能够满足工业级及车载应用对低功耗与高可靠性的严苛要求。
- 型号:MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:128M x 32（NAND），128M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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