MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR是一款由美光科技制造的4Gb集成式混合存储芯片，采用162-VFBGA封装。其核心特点在于单芯片内整合了非易失性的NAND闪存与易失性的LPDDR2 DRAM，分别提供4Gb（512M x 8）和2Gb（64M x 32）的存储容量。
该器件采用1.8V供电和并联接口，其中LPDDR2 DRAM部分支持533MHz的时钟频率，能提供高速数据缓存，有效提升系统处理效率。其工作温度范围为-25°C至85°C，适用于表面贴装工艺。此设计旨在为嵌入式系统提供一种集大容量存储与高性能运行缓存于一体的精简解决方案。
- 型号:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（11.5x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:512M x 8（NAND），64M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（11.5x13）
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