MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR是美光科技推出的一款集成2Gb NAND Flash与2Gb LPDDR2 DRAM的混合存储器。该芯片采用162-VFBGA封装，通过并联接口，在单一器件内实现了非易失性大容量存储与高速易失性缓存的结合。
其LPDDR2 DRAM部分运行时钟频率可达533MHz，提供高速数据访问能力，而NAND Flash部分则确保数据的持久存储。芯片工作电压为1.8V，支持-40°C至85°C的工业级温度范围，适用于要求高可靠性、高集成度及优化功耗的嵌入式系统设计。
- 制造商产品型号：MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：FLASH，RAM
- 技术：FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量：2Gb（256M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDDR2）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：533MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：1.8V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：162-VFBGA
- 想获取MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
