MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR是一款由美光科技制造的768Gb容量NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，能够实现高速数据读写，满足对带宽有严苛要求的应用。
其核心规格包括2.5V至3.6V的宽电压供电范围，增强了设计灵活性；0°C至70°C的商业级工作温度范围确保了在常见环境下的可靠性。芯片采用132-VBGA表面贴装封装，并以卷带形式提供，适用于自动化贴装生产。
- 制造商产品型号：MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：闪存 - NAND
- 存储容量：768Gb（96G x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：333MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：132-VBGA
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