MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR是美光科技推出的一款64Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和132-VBGA封装。其核心架构基于8G x 8位的组织方式，在2.7V至3.6V电压下工作，时钟频率支持高达200MHz，适用于需要高速数据读写的嵌入式存储应用。
该器件提供非易失性数据存储，工作温度范围为0°C至70°C，采用表面贴装形式，便于集成。其参数设计平衡了容量、速度与功耗，适合作为网络设备、工业控制系统及通信设备中的大容量程序或数据存储介质。
- 型号:MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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