MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR是美光科技生产的一款64Gb（8GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。该芯片基于非易失性闪存技术，组织架构为8G x 8，支持167MHz时钟频率，可实现高速数据访问，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准3.3V系统。
其设计适用于表面贴装，工作温度范围为0°C至70°C，满足商业级应用环境要求。该器件提供大容量存储解决方案，适用于需要可靠数据存储的嵌入式系统、工业控制及网络设备等领域。
- 型号:MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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