MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR是美光科技生产的一款64Gb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。其核心架构为8G x 8位组织，在2.7V至3.6V电压下工作，支持高达100MHz的时钟频率，能够提供高速的数据传输能力，满足对存储带宽要求较高的应用需求。
该芯片采用100-VBGA表面贴装封装，以卷带形式供货，适合自动化生产。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）确保了在广泛环境下的可靠性。作为一款大容量并行闪存解决方案，它主要面向需要嵌入式大容量存储和快速数据存取的电子设备。
- 型号:MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
