MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR 是美光科技生产的一款512Gb(64GB)容量NAND闪存芯片,采用并联接口和152-TBGA封装。该器件基于闪存技术,具备非易失性存储特性,其核心卖点在于将高密度存储与工业级可靠性相结合。
它支持2.7V至3.6V的宽电压供电和-40°C至85°C的宽工作温度范围,适用于环境要求严苛的嵌入式应用。高达166MHz的时钟频率确保了通过并联接口实现高速数据传输,满足了对性能有要求的存储解决方案。此芯片适用于需要大容量、非易失性数据存储的各类电子系统。
- 型号:MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA(14x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND(MLC)
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA(14x18)
- 想获取MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料