MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于将高密度存储与高性能操作相结合，支持高达333MHz的时钟频率，可实现快速数据访问。
该器件工作电压范围宽（2.5V~3.6V），兼容性强，工作温度范围为0°C至70°C，适用于常见的商业应用环境。作为一款非易失性存储器，它为需要大容量、可靠数据存储的解决方案提供了关键组件。请注意，该型号目前已不推荐用于全新设计。
- 型号:MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
