MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR是美光科技推出的一款4Tb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与267MHz时钟频率设计，支持高速数据读写操作。该器件基于非易失性闪存技术，内部组织为512G x 8结构，工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于对存储带宽与容量有较高要求的应用场景。

其卷带（TR）包装便于自动化生产，工作温度覆盖0°C至70°C（TA），确保在商业与工业环境中的稳定运行。作为有源器件，该芯片可直接集成至各类存储系统中，为企业级存储、数据中心及高性能计算提供高密度、高可靠性的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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