MT29F4G08ABBEAM70M3WC1是美光科技生产的一款4Gb(512M x 8位)容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性存储技术,可在断电后永久保存数据,其1.7V至1.95V的低工作电压特性有助于实现节能设计。
作为一款并行接口闪存,它通过直接的数据和地址总线与主处理器连接,适合对数据吞吐速率有要求的嵌入式存储应用。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,主要服务于现有系统的维护与生产延续。
- 制造商产品型号:MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL WAFER
- 产品系列:存储器
- 包装:散装
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb(512M x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:-
- 产品封装:-
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