MT29F3T08EUHBBM4-3R:B是美光科技生产的一款3Tb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用闪存- NAND技术，提供非易失性数据存储，其并联存储器接口在333MHz时钟频率下运行，可实现高速数据访问，供电电压范围为2.5V至3.6V。
该芯片的核心优势在于其高密度存储架构（384G x 8）与高速并行接口的结合，这为需要处理大量数据的应用提供了高带宽的存储解决方案。其商业级工作温度范围（0°C ~ 70°C）使其适用于广泛的嵌入式系统和商业计算环境。
- 型号:MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:3Tb
- 存储器组织:384G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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