MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR

MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR是美光科技生产的一款3Tb容量NAND并行闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，以384G x 8的架构提供海量数据存储空间，并通过高达333MHz的时钟频率和并联接口实现高速数据传输，满足对带宽有严苛要求的应用场景。

其工作电压范围为2.5V至3.6V，采用272-ball TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在商业级设备中的可靠性与兼容性。这款芯片主要针对需要大容量、高性能存储解决方案的企业级存储和数据处理设备。

• 制造商产品型号：MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 272TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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