MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR

MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR是美光科技推出的一款3Tb大容量并行NAND闪存芯片。该器件采用3D NAND技术，以384G x 8位的结构组织，提供高密度数据存储，并集成增强数据可靠性的内部管理功能。

其核心优势在于高达333MHz时钟频率的并行接口，可实现高速数据传输，同时2.5V至3.6V的宽电压供电范围提升了系统设计灵活性。芯片采用272-ball TBGA表面贴装封装，卷带包装，适用于0°C至70°C工作温度范围的商业级应用，满足自动化生产和高可靠性部署的要求。

• 制造商产品型号：MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 272TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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