MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R

MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R是美光科技推出的一款384Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失的NAND闪存技术，以48G x 8位的架构组织数据，提供了高密度的数据存储解决方案。

其核心优势在于大容量存储与稳定的并行数据传输能力。芯片工作电压为2.5V至3.6V，采用表面贴装形式，工作温度范围为0°C至70°C，适用于广泛的商业及工业嵌入式系统。作为有源产品，它为需要海量、可靠数据存储的应用提供了关键硬件支持。

• 制造商产品型号：MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 384GBIT PARALLEL WAFER
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：384Gb（48G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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