MT29F2G08ABBGAH4-AATES:G

MT29F2G08ABBGAH4-AATES:G是一款由美光科技制造的2Gb（256M x 8）并行接口NAND闪存芯片。该器件采用SLC（单层单元）NAND技术，提供了卓越的数据可靠性、高耐用性和快速读写性能，其页编程时间典型值仅为30ns。

该芯片的核心卖点在于其通过了AEC-Q100认证，属于汽车级产品系列，能够在-40°C至105°C的扩展工业温度范围内稳定运行，并采用63-VFBGA封装。其1.7V至1.95V的低工作电压范围有助于降低系统整体功耗。这些特性使其成为对数据完整性和环境适应性有严苛要求的汽车电子及工业控制应用的理想存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F2G08ABBGAH4-AATES:G
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量：2Gb（256M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：30ns
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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