MT29F2G08ABAGAM79A3WC1是美光科技生产的一款2Gb容量并行接口NAND闪存芯片,采用256M x 8位的存储结构。该器件属于非易失性存储器,数据在断电后不会丢失,其工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容标准的3.3V逻辑电平,工作温度满足0°C至70°C的商业级应用要求。
该芯片的核心卖点在于其成熟的并行闪存接口技术,提供了直接的数据与地址总线访问方式,便于系统集成。其2Gb(256MB)的容量适合用于存储程序代码、配置参数或用户数据。需要注意的是,此产品目前已标记为停产状态,在选型设计时需考虑其生命周期状态。
- 型号:MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:模具
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
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