MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR

MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA表面贴装封装。其核心特性包括32G x 8位的存储组织结构和高达267MHz的时钟频率，旨在提供高速的数据传输能力。

该芯片工作电压为2.7V~3.6V，工作温度范围为0°C~70°C，适用于消费电子及工业控制等环境。作为一款非易失性存储器，它为需要大容量、可靠数据存储的应用提供了关键的硬件解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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