MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A

MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A是美光科技生产的一款1Tb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于将高密度存储与高性能访问相结合，为数据密集型应用提供了可靠的解决方案。

该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，组织架构为128G x 8位。其接口时钟频率可达333MHz，支持高速并行数据传输，同时工作电压范围宽达2.5V至3.6V，兼容性强。这些特性使其能够满足对存储容量、读写速度及系统集成度有较高要求的各类设计。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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