MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR是美光科技生产的一款1.5Tb容量并行接口NAND闪存芯片，采用132-VBGA封装。该器件基于NAND闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心卖点在于极高的存储密度与高速数据传输能力。
其并联接口支持高达267MHz的时钟频率，为大数据块连续存取提供了高带宽，适用于数据吞吐量要求苛刻的系统。工作电压范围宽达2.7V至3.6V，兼容性强，工作温度范围为0°C至70°C，满足主流商业应用环境要求。此芯片专为需要海量、快速存储解决方案的设计而优化。
- 型号:MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.5Tb
- 存储器组织:192G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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