MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F

MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F是美光科技推出的一款1Gb容量、16位并行接口的NAND闪存芯片，采用63-VFBGA封装。该器件属于Automotive系列，并通过了AEC-Q100认证，确保其能够在-40°C至105°C的宽温度范围内提供高可靠性，满足汽车电子等严苛应用环境的要求。

其核心参数包括1.7V至1.95V的低工作电压范围，有助于实现系统低功耗设计。1Gb（64M x 16）的存储容量为非易失性数据存储提供了充足空间。该芯片采用表面贴装形式，适合高密度PCB布局，为需要稳定、大容量闪存解决方案的汽车和工业嵌入式系统提供了关键组件。

• 制造商产品型号：MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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