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MICRON
MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F的图片

MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
原厂封装:产品封装:63-VFBGA
优势价格,MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F是美光科技推出的一款1Gb容量、采用并联接口的SLC NAND闪存芯片。其核心优势在于采用了高可靠性的单层单元存储技术,并提供128M x 8位的组织结构,确保了快速、稳定的数据存取性能。

该器件设计符合AEC-Q100汽车级标准,支持-40°C至105°C的宽工作温度范围及1.7V~1.95V的宽电压供电,具备出色的环境适应性。30ns的快速页写入周期进一步提升了数据写入效率,使其能够满足汽车电子、工业控制等对数据完整性和耐久性要求严苛的应用需求。

  • 制造商产品型号:MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量:1Gb(128M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:30ns
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:63-VFBGA
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