MT29F1G08ABBDAHC:D TR

MT29F1G08ABBDAHC:D TR是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8位）容量并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA表面贴装封装。该器件基于非易失性闪存技术，可在1.7V至1.95V的电压范围内工作，确保在低功耗应用中的兼容性。

其核心特性包括适用于商业温度范围（0°C至70°C）的稳定运行，以及通过并联接口实现的数据存取。该产品提供卷带（TR）包装，便于自动化生产。需要注意的是，此型号目前已停产，适用于现有系统的维护或对长期可用性有明确规划的设计项目。

• 型号:MT29F1G08ABBDAHC:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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