MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D是美光科技生产的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片，采用128M x 8位的组织架构。该器件工作电压为1.7V至1.95V，支持-40°C至85°C的工业级温度范围，并通过63-VFBGA封装实现紧凑的表面贴装设计。
其核心优势在于并行数据接口提供的高带宽数据传输能力，适用于需要快速读写大量数据的嵌入式系统。作为非易失性存储器，它能够可靠地存储程序代码、用户数据或多媒体内容，是工业控制、网络设备和消费电子等领域中常见的存储解决方案。
- 型号:MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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