MT29F128G08CECABH1-12:A是美光科技生产的一款128Gb(16G x 8)容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术,工作电压为2.7V至3.6V,最高时钟频率达83MHz,采用100-VBGA表面贴装封装,主要面向商业温度范围(0°C至70°C)的应用环境。
其核心卖点在于提供了大容量的固态存储解决方案,并通过标准的并行接口实现相对高速的数据访问,适用于需要嵌入式大容量存储且主控支持并行总线的系统设计。该芯片属于已停产产品,适用于存量项目维护或对特定型号有延续性要求的应用场景。
- 型号:MT29F128G08CECABH1-12:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 100VBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA(12x18)
- 想获取MT29F128G08CECABH1-12:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料