MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R是美光科技生产的一款128Gb NAND闪存芯片，采用非易失性存储技术，基于并联接口实现高速数据访问。其存储容量为16G x 8，供电电压范围为2.7V至3.6V，工作温度在0°C至70°C之间，适用于商业级应用环境。

该芯片具备高密度存储和可靠的数据保持能力，支持页编程和块擦除操作，适用于需要频繁读写的大容量存储场景。其卷带包装便于自动化生产，有助于提升制造效率。作为有源产品，它持续获得制造商支持，适合嵌入式系统、数据存储设备及工业控制等领域。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PARALLEL WAFER
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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