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MICRON
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR的图片

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
原厂封装:封装:132-TBGA(12x18)
优势价格,MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR是美光科技生产的一款128Gb NAND闪存芯片,采用并联接口和16G x 8位存储结构,为非易失数据存储提供了高密度解决方案。其核心卖点包括167MHz的时钟频率,支持快速数据传输,以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围,确保在多样化的电源环境中稳定运行。

该芯片设计用于表面贴装,封装为132引脚TBGA,工作温度覆盖-40°C至85°C,适用于工业级和消费电子应用。其卷带包装便于自动化生产,而闪存-NAND技术则提供了可靠的持久存储性能,适合需要大容量、高速度存储的设备,如固态硬盘、嵌入式系统和物联网终端。

  • 型号:MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-TBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb
  • 存储器组织:16G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:132-TBGA(12x18)
  • 想获取MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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