MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和64G x 8位的内部架构。该器件工作电压为2.7V至3.6V，支持高达167MHz的时钟频率，旨在提供高带宽的数据传输能力，适用于对存储速度和容量有较高要求的应用。

芯片采用132引脚LBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，符合商业级应用标准。其核心卖点在于将高密度存储与并行接口性能相结合，为数据缓存、固态存储等场景提供了大容量非易失性存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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