MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR是一款由美光科技制造的384Gb（48GB）大容量NAND闪存芯片。它采用并联接口和132-VBGA表面贴装封装，核心特点是支持高达333MHz的时钟频率，能够提供出色的数据传输带宽，满足高速数据读写的需求。

该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，工作温度为0°C至70°C，属于商业级有源产品。其非易失的存储特性确保了数据的持久保存，结合其高密度和并行接口优势，使其成为企业存储、数据中心及高端嵌入式系统等领域的理想存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：384Gb（48G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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