MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR是美光科技生产的一款1Gb容量并行NOR闪存芯片，采用56-TSOP封装和卷带包装。该器件提供128M x 8或64M x 16的灵活组织方式，支持宽电压范围（2.7V-3.6V）和工业级工作温度（-40°C至85°C），确保了在各种环境下的稳定性和兼容性。
其核心性能优势体现在95ns的访问时间和60ns的写入周期，这为需要快速读取和执行代码的嵌入式系统提供了关键支持。作为非易失性存储器，它适用于存储固件、引导代码及关键参数，是工业控制、汽车电子、网络设备等对可靠性和实时性有严苛要求应用的理想选择。
- 型号:MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8，64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:95 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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