M29W800DT70N6E是美光科技生产的一款8Mbit(1M x 8 / 512K x 16)并行接口NOR闪存芯片,采用48-TFSOP表面贴装封装。该器件提供70ns的快速访问时间和编程时间,支持在2.7V至3.6V电压及-40°C至85°C的工业温度范围内工作,确保了在嵌入式系统中的高性能与高可靠性数据存储。
其核心优势在于灵活的x8/x16数据总线配置、快速的随机读取能力以及标准的并行内存接口,这些特性使其非常适合用于存储并直接执行微处理器的启动代码、应用程序或关键参数。尽管产品状态为停产,它仍是许多现有工业控制、通信设备和汽车电子系统中重要的非易失性存储解决方案。
- 型号:M29W800DT70N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8,512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取M29W800DT70N6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料