M29W800DB70M6是美光科技推出的一款8Mb（1M x 8 / 512K x 16）并行接口NOR闪存，采用44-SOIC封装。该器件提供70ns的高速访问时间和写周期时间，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在苛刻环境下的数据可靠性与系统响应速度。
其基于成熟的NOR闪存技术，具备非易失性存储特性，支持灵活的字节（x8）或字（x16）宽度访问模式。该芯片适用于需要可靠存储启动代码、应用程序或关键参数的嵌入式系统，是工业控制、通信设备及汽车电子等领域中经典的固件存储解决方案。
- 型号:M29W800DB70M6
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.525，13.34mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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