M29W256GH7AZA6E 是美光科技推出的一款256Mb并行NOR闪存，采用64-TBGA封装。该器件提供32M x 8位或16M x 16位的灵活存储组织方式，支持70ns的高速访问时间和写周期时间，实现了快速的数据读取和固件更新能力。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在宽电压波动和恶劣环境下的稳定性和可靠性。作为一款基于成熟NOR技术的非易失性存储器，它主要面向需要可靠存储和直接代码执行的嵌入式系统应用。
- 型号:M29W256GH7AZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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