M29W128GH70ZS3E是一款由美光科技制造的128Mb并行NOR闪存，采用64-LBGA表面贴装封装。其核心提供16M x 8位或8M x 16位的灵活存储组织，并具备70ns的快速访问与写入时间，确保了高效的数据吞吐性能。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至125°C的宽工作温度，满足工业级应用的严苛环境要求。其并联接口便于与主处理器直接连接，适用于需要可靠的非易失性存储及快速代码执行的嵌入式系统。
- 型号:M29W128GH70ZS3E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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