M29W010B70N6F TR是Micron Technology（美光科技）推出的一款1Mb并行NOR闪存芯片，采用128K x 8位的组织结构。该器件提供70ns的快速访问时间和写周期时间，支持2.7V至3.6V的宽电压供电，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内可靠工作。
其非易失性存储特性和并联接口使其非常适合作为嵌入式系统中的代码存储或数据存储介质，尤其适用于对读取速度和系统可靠性有较高要求的应用。芯片采用32-TFSOP表面贴装封装，以卷带形式提供，便于自动化生产。
- 型号:M29W010B70N6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:32-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:1Mb
- 存储器组织:128K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:32-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:32-TSOP
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