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MICRON
M29F800FT5AM6F2 TR的图片

M29F800FT5AM6F2 TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
原厂封装:封装:44-SO
优势价格,M29F800FT5AM6F2 TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M29F800FT5AM6F2 TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M29F800FT5AM6F2 TR 是一款 8Mbit 容量的并行接口 NOR 闪存存储器,由美光科技制造。该器件提供 1M x 8 位或 512K x 16 位的可配置组织方式,并采用 44-SOIC 表面贴装封装,以卷带形式供货。

其核心特性包括 55ns 的快速访问时间和写周期时间,以及 4.5V 至 5.5V 的宽工作电压范围,确保了在 5V 系统中的高性能数据读写。器件支持 -40°C 至 85°C 的工业级工作温度,适用于对环境适应性要求较高的嵌入式应用。

作为一款非易失性存储器,它主要用于存储系统引导代码、应用程序和关键参数,常见于工业控制、通信设备和汽车电子等需要可靠、快速代码执行的领域。

  • 型号:M29F800FT5AM6F2 TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:44-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:8Mb
  • 存储器组织:1M x 8,512K x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:55ns
  • 访问时间:55 ns
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:44-SOIC(0.496,12.60mm 宽)
  • 供应商器件封装:44-SO
  • 想获取M29F800FT5AM6F2 TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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