M29F800DT70N6E是美光科技生产的一款8Mbit并行NOR闪存芯片，提供1M x 8位或512K x 16位的灵活组织方式。该器件采用5V供电，具备70ns的快速访问时间和写入周期，支持字节/字编程及扇区擦除操作，确保了高效的数据读写与固件更新能力。
其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，采用48-TSOP表面贴装封装，具备良好的环境适应性与集成便利性。此芯片适用于对代码执行速度和可靠性有较高要求的嵌入式系统，如工业控制、通信设备及汽车电子等领域的固件存储应用。
- 型号:M29F800DT70N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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